【摘要】：本實驗采用室溫對靶直流磁控濺射Fe-Si組合靶的方法,并經過后續氣氛退火,在單晶Si(100)上生長β-FeSi_2薄膜。主要研究了退火時間、升溫速率和退火溫度等因素對材料結構和電學特性的影響,結果表明:退火溫度和時間的控制是獲得單一相β-FeSi_2薄膜的關鍵因素,升溫速率在一定程度上可以調控薄膜電學特性。本實驗得到的P型β-FeSi_2薄膜的載流子濃度5.75×10~(16)cm~(-3),空穴遷移率168cm~2/Vs,禁帶寬度0.879eV,吸收系數在光子能量1.0eV時達到了1.42×10~5cm~(-1)。基于以上優異的光電性能,該β-FeSi_2薄膜可望用作太陽電池的吸收層。 【作者單位】：南開大學光電子薄膜器件與技術研究所光電信息技術科學教育部重點實驗室,光電子薄膜器件與技術天津市重點實驗室
【關鍵詞】：β-FeSi_薄膜 直流磁控濺射 Fe-Si組合靶 太陽電池
【基金】：天津市應用基礎研究計劃項目(07JCYBJC04000) 國家重點基礎研究發展計劃項目(200028202和200028203) 國家科技計劃配套項目(07QTPTJC29500)的資助
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： .引言光伏發電是一種安全可靠、完全零排放、清潔可再生的綠色能源，太陽電池，尤其是薄膜太陽電池的研制和應用一直是近幾十年來有關人士研究的熱點。為了進一步提高電池效率、降低電池成本和減少環境污染，廉價、無毒的新型太陽電池材料和新結構太陽電池的研制已經成為人們

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